3D NANDフラッシュとは、メモリセルを複数層、垂直に積み重ねることを可能にする、フラッシュストレージにおける高度なアーキテクチャです。 高密度大容量化を目指すフラッシュストレージにとって洗練されたデザインであり、最適なソリューションとなります。 複数のレイヤーを構築することにより、より大きなジオメトリが使用可能になり、より高い信頼性と高密度を実現することができます。 製造されたビットの約50%が2017年中頃までに3Dになると推定されています。

3D NANDの強みの1つは、1GBあたりのコストが低く、高密度の大容量ストレージを必要とするクライアントSSDおよびコンシューマ向け製品には理想的なデバイスです。 3D TLC NANDは、Planar / 2D MLCと比較して消費電力を抑えながら、書き込み/書き込みが高速になります。 更に、3D TLC NANDはPlanar/2D MLCに比べてダイの面積当たりの記憶容量は倍以上にもなります。

3D NANDフラッシュが適さない産業用アプリケーションとしては、32GBを下回るような比較的低容量ストレージを必要とするものなどいくつか考えられます。 高耐久性と長寿命サイクルを必要とするアプリケーションは、引き続き2Dフラッシュデバイスを最大限に活用していくことになります。重要なのは、シングルレベルセル(SLC)テクノロジは2D planer NANDのみで利用可能なテクノロジーであるということです。

フラッシュストレージ技術の進化と3D NANDフラッシュの機能、そしてフラッシュアーキテクチャを利用した業界の方向性に注目することはエキサイティングです。この技術は、3D NANDの性能、耐久性および全体的な成熟度の更なる改善がなされるにつれて、より幅広い産業用途にも適用可能なデバイスになるはずです。